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碳化硅的生产设备
碳化硅的生产设备
2023-07-09T16:07:03+00:00
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 11月，宇晶股份在接受机构调研时称，目前公司已实现碳化硅材料的切、磨、抛加工设备的全覆盖，因碳化硅材料的硬度高，公司线切割机采用砂浆线的方式切 2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社
疯狂的碳化硅，国内狂追！ MSN
4 天之前 碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延 2023年2月26日 碳化硅:大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 3 11、 驱动因素一:车 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级 4 天之前 近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备在近几年得到较快发展。 在碳化硅器件封测领域，氮化硅主要采用AMB工艺，更受行业欢迎。据悉，AMB工艺生产的陶瓷衬板主要运用在功率半导体模块上作 疯狂的碳化硅，国内狂追！全球半导体观察丨DRAMe
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的 高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导 2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。 根据Yole预测，20182024年，全球SiC功率器件市场规模将由420亿美元增长至1929亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计 2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 2020年12月8日 01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。2022年3月2日 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
碳化硅百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石 2023年1月4日 制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、 第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料
碳化硅产业链最全分析 知乎
2021年12月5日 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基 2023年6月28日 与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备 等环节，也在逐步推进国产化。而海外大厂也在通过整合补全短板，启动一系列产能扩张计划。 但蜂拥而至的游戏玩家也让碳化硅赛道变得拥挤不堪。广东芯聚能半导体CEO周晓阳也在芯谋研究承办 碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 腾讯网
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 2021年12月24日 高压SiC模块的驱动是应用中的一个难题，也许是因为三菱电机是 功率半导体 大厂，并没有自己开发驱动，而是有很多厂商专门为其开发驱动。 其推荐的几款驱动器经过测试得到了认可，包括日本品牌IDC 和田村 、美国的PI（Power Integrations）和国产品 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
露笑科技“豪赌”碳化硅，工厂已建成，谁持“核心专利”依然
2021年12月3日 “合肥工厂的产能规划是先以50台6英寸炉子（碳化硅衬底生产设备 ，属于长晶设备）为一个单元，到年底会根据市场销售的订单，每三个月增加一个（单元）。三个月我就能把炉子安装调试好，即三个月为一个周期。安装调试完毕，正式拿到订单 2022年8月25日 全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。SiC发展神速设备XFab碳化硅
【行业观察】国产替代加速，我国第三代半导体碳化硅迎来新
2023年5月17日 03 碳化硅的国内外技术差距及发展机会 一是碳化硅衬底，生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。影响碳化硅衬底成本的制约性因素在于生产速率慢、缺陷控制难度大、产品良率低。2023年4月21日 目前，中电科48所、北方华创等国内企业已量产了相关设备。制备SiC器件的栅极氧化层需要高温氧化炉。国外主要厂商包括昇先创Centrotherm、东横化学等，当前中电科48所、北方华创等国内企业的设备也能够用于生产碳化硅器件。SiC市场“蓄势待发”，哪些装备耗材还在被卡脖子？
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 来说说第三代半导体产业链中技术发展较快、市场空间广阔、已经实际应用、国内追赶最紧的其中一个链条：碳化硅。文章尾部有干货：相关国内公司及业务进展情况。 碳化硅的优势硅，是制造半导体芯片 2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯
2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 来源：中国粉体网 山川 34218人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉2021年11月7日 使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 设备先行、受益大尺寸需求扩张 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 2017年4月21日 三国内生产工艺现状 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序依靠人力完成，人均产量较低。简述碳化硅的生产制备及其应用领域专题资讯中国粉体网
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3，切磨抛设备是衬底加工最核心的设备，国产化率约20%。根据我们测 算，预计2025 年 2023年4月19日 同时，在SiC定制化和研发难度较高的设备端，中国电科48所研制的碳化硅外延炉出货量同比大幅增长。 据悉，由于碳化硅材料高熔点、高密度、高硬度的特性，使芯片具备了耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，碳化硅外延生长炉是晶圆制造环节的专用核心 中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。2021年7月21日 碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进行人工干预，所以晶体的生长过程十分容易遭到扰动，而如何在苛刻的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会
碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
2020年6月16日 虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别，但是由于碳化硅材料的特性，退火的温度要高达1600摄氏度左右，在这么高的温度下，如何保证晶圆表面粗糙度，又要达到高的 离子激活率 和相 2023年6月28日 有45家制出样品、小规模出货，如天科合达等。与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备 等环节，也在逐步推进国产化。而海外大厂也在 碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追
回顾2023：碳化硅供不应求 产业驶上“快车道”腾讯新闻
2024年1月2日 由于看到这个好市场，很多企业把碳化硅选作新赛道布局。另外有一个中国特有的原因，碳化硅的生产设备 西方尚未作为重点实施禁运，因此不少地区在扩建碳化硅产线。中国碳化硅的优势在于下游应用市场庞大，无论是在新能源汽车还是光伏 2023年11月18日 碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。 例如： 单晶 方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料 碳化硅，在三大“千亿赛道”狂飙 知乎
碳化硅，可否引领带动我国三代半导体产业“弯道超车”中国
2021年3月22日 李斌分析认为，目前，碳化硅产业原材料占企业成本的65%，到2025年，仅山西烁科一家企业的原材料需求可达65亿元左右。 在当今全球大力发展半导体产业的情况下，十四五末，预计国内半导体材料企业原材料需求量将达千亿级别。 相应设备方面，每生 2023年11月29日 项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造 、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、 研究进展和产业化现状， 提出了未来努力的方向和解决的方案， 并展望了其未来的发展趋势和应用前景。 同代半导体材料硅 (Si)、 锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、 磷化液 (InP)相 2022年1月12日 公司正在使用的核心技术主要包括碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术、高纯碳化硅粉料制备技术、精准杂质控制技术及电学性能控制技术 【新股报告】半导体材料新股系列：天岳先进碳化硅新浪
碳化硅 知乎
2023年1月1日 碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。 我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为320～325，显微硬度为2840～3320kg2023年3月28日 碳化硅按衬底制备方式以及面向的下游应用分可为两种类型。一种是通过生长碳化 硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底， 外延层上制造各类功率器件；另一种是通过生长氮化镓异质外延， 下游应用于5G通 讯、国防等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造 碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程 知乎
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的 高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导 2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。 根据Yole预测，20182024年，全球SiC功率器件市场规模将由420亿美元增长至1929亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计 2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 2020年12月8日 01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。2022年3月2日 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有