碳化硅 粗碎设备
2020-01-10T10:01:56+00:00
![](/pics/lmzg754.jpg)
2025市场达200亿,碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
2023年11月12日 国内企业上机数控此前表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河,在国产碳 2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
![](/pics/lmzg649.jpg)
为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆?
2023年8月19日 控制碳化硅外延缺陷,方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料;二是设备选择及国产化;三是工艺技术。 碳化硅外延技术进展情况 在低、中压领域,目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水 2023年7月17日 在功率半导体领域,2023 年 6 月,公司成功研发出 8 英寸单片式碳化硅外延生长设 备;2023 年 2 月,公司发布 6 英寸双片式碳化硅外延设备,与单片设备相 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
![](/pics/lmzg900.jpg)
产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 今年11月,上机数控在官微表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。2023年11月23日 碳化硅加工设备组成: 碳化硅加工设备全套配置包括锤式破碎机、斗式提升机、储料仓、震动给料机、微粉磨主机、变频分级机、双联旋风集粉器、脉冲除尘系统、高压风机、空气压缩机、电器控制系统 碳化硅加工设备
![](/pics/lmzg1411.jpg)
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有
2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例,整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生 2016年9月8日 对辊式破碎机常用于对物料的细碎,对于碳化硅细碎效果显著,被广泛应用于建材、化工、冶金行业中硬度较高物料的破碎,其特点有: 碳化硅对辊式破碎机图片 (1)结构简单、重量轻、便于移动,用户的 碳化硅破碎设备/碳化硅破碎设备厂家红星机器
![](/pics/lmzg488.jpg)
造一颗SiC芯片,需要哪些关键设备?工艺碳化硅中国
2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备,粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求,但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备,采用设备与工艺打包销售的方式,极大 2023年8月19日 在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫情等原因),无法快速放量,主流碳化硅高 为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆?
![](/pics/lmzg1411.jpg)
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒, 再经过破碎、 清洗等加工工序, 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 用于破碎的设备 粗式破碎机简称粗破,主要用于对大块物料的初步破碎,一般生产出来的 物料 粒径比较大,国内生产的粗式破碎机最大进料粒度为900×1200mm(即进料口大小为900×1200mm),特别适用于大型矿山的开采,产品比较大,机器重量大概在52吨左右 粗式破碎机百度百科
![](/pics/lmzg893.jpg)
碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
2019年9月2日 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展,以及制造成本的不断下降,碳化硅材料将在高温、高频、光电子、抗辐射等领域拥有广阔的应用发展前景,如表2。 表2 碳化硅 (SIC)材料的应用领域 泰科天润官网 : 碳化硅,半导体,功率器件,电动车,光伏,电力电子 泰科 2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件,都是以代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
![](/pics/lmzg901.jpg)
揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 2023年7月6日 一、碳化硅优异的物理性质 碳化硅器件在设计、制造、测试等方面的重点难点与硅器件存在着较大区别。11碳化硅禁带宽度是硅的3倍 碳化硅禁带宽度比硅更大,因此本征载流子浓度更低,进而可以承受更高的工作结温,这保证了碳化硅器件在高温条件下的工作稳定性,从而可以减少高温造成的器件 技术与商业双轮驱动,全面解析碳化硅产业链新机遇石墨拉晶
![](/pics/lmzg31.jpg)
产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是,虽然半导体产业已经步入下行周期,但仍有部分 1碳化硅加工工艺流程 1、典型 01mm 产品: 首先,原料由 颚式破 碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工, 最 后经过振动筛筛分出最终产品。 有磁性物要求 1碳化硅加工工艺流程 百度文库
![](/pics/lmzg178.jpg)
关于碳化硅,不可不知的10件事! 知乎
2022年10月15日 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。 它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。 宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高 2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性,碳化硅材料拥有很高的硬度,目前仅次于金刚石,因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例,碳化硅晶体制备面临以下困难: 温场控制困难、生 碳化硅 ~ 制备难点 知乎
![](/pics/lmzg420.jpg)
石墨矿选矿工艺流程 知乎
2022年1月25日 一般流程为:原矿→粗碎→中碎→烘干→磨矿→分级→包装。 石墨矿选矿工艺流程:主要针对各种结晶形态不同的石墨矿、黄铁矿或云母等伴生的石墨矿,采用多段磨矿多段浮选和重选浮选联合两种选矿工 2019年10月9日 碳化硅(SiliconCarbide)是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石(莫桑石),然而因其极其罕见,仅仅存在于年代久远的陨石坑内,所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物,工业生产出的碳化硅由 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
![](/pics/lmzg122.jpg)
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做
2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例,整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。2020年6月16日 虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别,但是由于碳化硅材料的特性,退火的温度要高达1600摄氏度左右,在这么高的温度下,如何保证晶圆表面粗糙度,又要达到高的 离子激活率 和相对比较准确的P区形状是一个难点 。 3 针对于碳化 碳化硅器件目前有什么生产难点?? 知乎
![](/pics/lmzg932.jpg)
对破碎机了如指掌?直观动图演示7种主流破碎设备原理,及
2020年7月2日 不同破碎机的破碎机理、利弊分析 破碎机按给料和产品的粒度可分为三大类: 粗碎破碎机:由1500~500mm破碎至350~100mm; 中碎破碎机:由350~100mm破碎至100~40mm; 细碎破碎机:由100~40mm破碎至30~10mm。 破碎机按工作原理和结构特征的不同可分为:2021年10月10日 碳化硅材料的莫氏硬度 大约为 925,尤其是高纯碳化硅晶体材料的切割研磨抛光难 度大,使用内圆切割机、单线切割机等传统切割方式已不能 有效提高切割效率。针对碳化硅的多线切割工艺,主要存在金刚石线切割及油砂线切割两种不同的切割方式。金刚石线切割与砂浆线切割针对碳化硅晶体的优缺点分析 知乎
![](/pics/lmzg1328.jpg)
碳化硅简介 知乎
2020年12月7日 碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式,反映温度低于1600℃时,反应产物则以βSiC形式存在;反映温度高于1600℃时,βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体,反映温度2400℃时,则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质,呈现无色透明晶体状 简称细破,主要用于对小块物料的进一步破碎,一般从粗破出来的物料进入细破对物料进一步加工,国内的细式破碎机最小型号为150×250mm(即进料口大小为150×250mm)。细式破碎机常用做砂石、制砂、石料等生产线的的二次破碎。常用的细式破碎机械有颚式破碎机、旋回破碎机、辊式破碎机、反击式 细式破碎机 百度百科
![](/pics/lmzg408.jpg)
碳化硅国产化全产业链 专家交流 知乎
2022年9月6日 因为碳化硅耐压不敏 感,做到 1000 以上,它基本就变大一点。 简单来说的话,如果 1650 伏可以切 5 台车的话,1200 伏在同样的功率,差不多可以 7 台车。 核心要点: 【衬底】6 英寸导电产品 1天科合达:处在行业领先地位,每年产出 12~13 万芯片,最近 2022年1月21日 碳化硅衬底加工难点 四、切割磨损高,由于碳化硅的硬度极大,在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。 昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高,限制了碳化硅的应用放量。 此外,晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难度越 碳化硅晶片加工过程及难点 知乎
![](/pics/lmzg1113.jpg)
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使 用专用设备,部分需要在硅设备基础上加以改进。2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式:类是覆盖较全的产业链环节,同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作,例如科锐公司等;第二类是只从事产业链的单个或者部分环节,例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面,科锐和II 中国碳化硅产业链全景图,附30家企业汇总 知乎
![](/pics/lmzg272.jpg)
碳化硅(SIC)的长处和难点详解; 知乎
2023年10月30日 SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件,按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等,主要用于电动汽车 2020年12月2日 碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。 实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅晶片本身只作为衬底,包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心:外延技术 知乎
![](/pics/lmzg257.jpg)
【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎
2023年6月19日 通常碳化硅衬底厂的抛光工艺分为粗抛和精抛。 a)粗抛:常用的粗抛工艺采用高锰酸钾氧化铝粗抛液搭配无纺布粗抛垫,通常采用的是杜邦的SUBA800。 高锰酸钾起到氧化腐蚀作用,纳米氧化铝颗粒起到机械磨削的作用,加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达到02nm以内。2023年5月31日 1、一级破碎机——颚式破碎机(粗碎 ) 颚式破碎机简称为颚破,用于物料的粗破。它的主要优点是:适用于硬度中硬及以上的物料破碎,相比于其他破碎机,颚式破碎机的结构简单、维修方便、价格便宜。另外,颚式破碎机产值覆盖范围非常广 破碎机都有什么类型? 知乎
![](/pics/lmzg817.jpg)
2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 East Money
2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的20、25倍,因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而,氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点,而碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较2021年6月18日 矿山耐磨材料的选择与应用 分析了矿山耐磨材料的一般性选材原则,如工艺流程、碎磨设备、磨损规律、衬板结构、材料性能和生产成本等,介绍了国内耐磨材料的研究及应用现状,重点分析了其在自磨机、半自磨机等矿山设备的应用局限性,并对矿山耐磨 矿山耐磨材料的选择与应用中国铸造协会耐磨材料与铸件分会
![](/pics/lmzg604.jpg)
sicsic是什么sic制作工艺、主要成分及适用于哪些领域
2019年6月28日 sic的制作工艺 sic,由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。 常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。 碳化硅 (SiC)因其很大的 2021年8月16日 除此之外,碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低,可以缩小产品体积,提高 第三代半导体之碳化硅:中国半导体的黄金时代 知乎
![](/pics/lmzg1034.jpg)
碳化硅“狂飙”:追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 碳化硅“狂飙” 上文提到,从产业链层面初步划分,整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和封装模块等。 从产业模式看,与国外产业链主要以纵向多环节整合为主不同,国内产业链相对较为分散,除三安光电以及中电科下属研究所采用产业链全覆盖 2023年5月13日 北方华创 作为A股半导体设备巨头,公司负责人出席功率及化合物半导体论坛时介绍,公司可以提供碳化硅的全套解决方案;A股半导体清洗巨头 盛美 功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下
![](/pics/lmzg555.jpg)
1碳化硅加工工艺流程图 豆丁网
2020年9月9日 1碳化硅加工工艺流程图doc 碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的发展史:1893发表了个制碳化硅的专利,该专利提出了制取碳化硅的工业方法,其主要特点是,在以碳制材料为炉芯的电阻炉过加热二氧化硅和碳的混合物,使之相互反应,从而生成碳化硅,到1925 2021年12月24日 现在不是有了碳化硅(SiC)等第三代半导体器件吗? 但是,虽然SiC器件的特性比硅好了很多,但是应用中仍有许多新的问题要解决 他认为,电力电力转换设备的首要指标就是效率,效率低就没有什么价值。提高采样频率波形会变得更好,SiC的 我想了解一下碳化硅的生产工艺? 知乎
![](/pics/lmzg340.jpg)
碳化硅涂层加工工艺 百度文库
首先,原料由粗碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送机输送至细碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工,再经过清吹机除游离碳,磁选机除磁性物,最后经过振动筛筛分出最终产品。 游离二氧化硅(FSiO2)通常 2022年8月29日 人类历史上次发现碳化硅是在1891年,美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物,这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后,终于理清了碳化硅的优点和特性,并且发明了各种碳化硅的长晶技术,产业研究前后长 关于碳化硅,把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅
![](/pics/lmzg551.jpg)
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案磨料金刚石sic网易订阅
2023年4月28日 2研磨 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。 常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。2023年6月28日 业内人士介绍,碳化硅衬底材料等环节的投资门槛相对较低,长晶设备已经实现国产化,企业可迅速建厂、拿到融资,但持续 “掘金”碳化硅赛道 国产碳化硅进击8英寸工艺节点 最佳“掘金”窗口期步入倒计时
![](/pics/lmzg199.jpg)
造一颗SiC芯片,需要哪些关键设备?工艺碳化硅中国
2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备,粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求,但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备,采用设备与工艺打包销售的方式,极大 2023年8月19日 在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫情等原因),无法快速放量,主流碳化硅高 为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆?
![](/pics/lmzg680.jpg)
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒, 再经过破碎、 清洗等加工工序, 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 用于破碎的设备 粗式破碎机简称粗破,主要用于对大块物料的初步破碎,一般生产出来的 物料 粒径比较大,国内生产的粗式破碎机最大进料粒度为900×1200mm(即进料口大小为900×1200mm),特别适用于大型矿山的开采,产品比较大,机器重量大概在52吨左右 粗式破碎机百度百科
![](/pics/lmzg1342.jpg)
碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
2019年9月2日 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展,以及制造成本的不断下降,碳化硅材料将在高温、高频、光电子、抗辐射等领域拥有广阔的应用发展前景,如表2。 表2 碳化硅 (SIC)材料的应用领域 泰科天润官网 : 碳化硅,半导体,功率器件,电动车,光伏,电力电子 泰科 2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件,都是以代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
![](/pics/lmzg790.jpg)
揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 2023年7月6日 一、碳化硅优异的物理性质 碳化硅器件在设计、制造、测试等方面的重点难点与硅器件存在着较大区别。11碳化硅禁带宽度是硅的3倍 碳化硅禁带宽度比硅更大,因此本征载流子浓度更低,进而可以承受更高的工作结温,这保证了碳化硅器件在高温条件下的工作稳定性,从而可以减少高温造成的器件 技术与商业双轮驱动,全面解析碳化硅产业链新机遇石墨拉晶
![](/pics/lmzg228.jpg)
产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是,虽然半导体产业已经步入下行周期,但仍有部分 1碳化硅加工工艺流程 1、典型 01mm 产品: 首先,原料由 颚式破 碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工, 最 后经过振动筛筛分出最终产品。 有磁性物要求 1碳化硅加工工艺流程 百度文库